装置概要

装置ID

367

メーカー

サムコ株式会社

形式

PD-220NL

設置場所

黒髪南地区キャンパス SOIL棟5階クリーンルーム

概要

本装置はSiO2やSiNxなどのシリコン系薄膜を成膜するプラズマCVD装置です。ロードロック室を備え反応室を大気開放しないため、プロセス再現性や安定性に優れています。従来の13.56 MHzのプロセスに加え、400 kHzを重畳した2周波プロセスに対応しており、膜応力を効果的に制御できます。TEOSやSN-2などの液体原料を用いた成膜も可能です。トレイ搬送による小径ウエハの多数枚処理が可能で、4インチウェハｘ3枚のサイズに対応できます。

管理者

半導体プロセスWT

TEL

096-342-3518

メール

yoshioka@tech.kumamoto-u.ac.jp