装置概要

装置ID

368

メーカー

サムコ株式会社

形式

RIE-400iPB

設置場所

黒髪南地区キャンパス SOIL棟5階クリーンルーム

概要

本装置は、放電形式に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma）⽅式を採⽤し、ボッシュプロセスに対応した⾼速シリコンディープエッチング装置です。ボッシュプロセスに対応し、MEMSやTSVに求められる高速かつ高アスペクト比のシリコンエッチングが可能です。非ボッシュプロセスにも対応しており、用途に応じた柔軟な側壁形状制御が可能です。さらに、ICPソースの交換によりSiO₂の高速加工も可能です。

管理者

半導体プロセスWT

TEL

096-342-3518

メール

yoshioka *1 kumamoto-u.ac.jp *1を@tech.に置き換える